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新时代以来，我们党不断深化对党的理论创新的规律性认识，提出“两个结合”“六个必须坚持”等一系列新思想新观点新论断。习近平外交思想坚持理论与实践相结合、认识论与方法论相统一，树立了坚持唯物论和辩证法推进理论创新的典范，闪耀着马克思主义真理光辉。
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。